宽禁带材料测试方案 二维码
23
宽禁带材料测试方案概述:宽禁带材料是指禁带宽度大于 2.3eV 的半导体材料,以Ⅲ - Ⅴ族材料,SiC 等最为常见。随着电子电力的发展,功率器件的使用越来越多,SiC, GaN 等被广泛应用于射频,超高压等领域,此外,为适应特高压输电, 电动汽车充电桩等超高压应用,可以承受更高电压的超宽禁带半导体,如金刚石,氧化镓等的研究也在逐渐深入。宽禁带材料一直是研究方向的热点。在半导体材料的研究中,电阻率,载流子密度和迁移率是测试的关键参数。宽禁带材料测试挑战:宽禁带材料的带隙较大,击穿电场较高。超禁带材料击穿电场更高。因此需要上千伏高压源表进行测试。
功率器件带隙较宽,稳定性好,受温度影响较小, 所以也是高流器件的制备材料。电流特性的测试, 需要用到几十安培的高流源表。
电阻率及电子迁移率通常范围较大,需要电流电压范围都很大的设备。 电流源和电压表精度要高,保证测试的准确性。 电阻率测试方法 :四探针测试法 测试载台:四探针测试台 载流子浓度及迁移率测试方法 :霍尔效应测试法 测试载台:磁场设备及探针台 中功率测试设备:测试设备:4200A-SCS 高功率测试方案:测试设备:2600-PCT 泰克优势:高压 3kV,高流 100A 高精度源表; SMU 模块集电压源 / 电压表 / 电流源 / 电流表于一体,集成度高,方便使用; SMU 均配有开尔文接口,在测试小电阻时可有效消除线缆电阻的影响; 4200A 设备电流输出精度 40fA;电流测试精度 10fA;电压测试精度 80V; 带有 pulse 工作模式,使用 pulse 测试可以消除自加热效应; 开放设备底层指令,附带编译软件,支持自编程 ; 提供高压高流测试夹具,保证测试安全。
文章分类:
r&s
|